سامسونج و IBM تتوصلان لنقلة كبيرة بتصميم المعالجات عبر تقنية تسمح برص الترانزستورات عموديًا
ضمن اليوم الأول في مؤتمر IEDM في مدينة سان فرانسيسكو بولاية كاليفورنيا الأمريكية، استغلت شركتا سامسونج و IBM المناسبة للإعلان عن توصلهما لتقنية تسمح برص أو تكديس الترانزستورات بشكل عمودي في أشباه الموصلات ورقاقات المعالجة، ما يعني نقلة كبيرة في الصناعة.
تعتمد طريقة تصنيع المعالجات على رص وترتيب الترانزستورات بشكل أفقي على ألواح السيليكون، ما يعني أن العدد الإجمالي للترانزستورات في كل معالج يكون ملاصق لبعضه البعض، ويتوجب التوصل لتقنيات تساعد على تصغير حجم كل ترانزستور منها لجعلها تتسع لأكبر عدد دون التأثير على حجمها عن وضعها في الأجهزة، لكن ذلك كله سيختلف مع التقنية الجديدة.
ستساعد تقنية سامسونج و IBM، التي أطلق عليها اسم Vertical Transport Field Effect Transistors (VTFET)، الشركتين في تصنيع أشباه الموصلات والرقاقات الإلكترونية بطريقة تسمح باستخدام نفس المساحة في توفير أعداد مضاعفة من الترانزستورات معًا، ما يعني رفع الكفاءة بشكل ملحوظ بالحفاظ على نفس الحجم.
ووفقًا لما أشارت إليه الشركتين، فإن هذه التقنية في تصميم أشباه الموصلات ستساعدهما في الوصول سريعًا لمرحلة دقة التصنيع ما بعد نانومتر، وكذلك المساعدة في تقليل النفايات الناتجة عن عمليات تصنيع أشباه الموصلات، وفي نفس الوقت توفير سرعة مضاعفة في الوقت الذي تستهلك فيها طاقة أقل بنحو 85% مقارنة مع المعالجات المصنعة وفق تصميم FinFET.
وتذهب IBM وسامسونج أبعد من ذلك في حديثهما بالقول إن هذه التقنية ربما تساعد في أحد الأيام على استخدام الهواتف الذكية على شحنة واحدة فقط في الأسبوع.
